Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung

Mohd Ambri Mohamed, and Farah Dzilhani Zulkefli, and Burhanuddin Yeop Majlis, (2017) Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung. Sains Malaysiana, 46 (7). pp. 1141-1145. ISSN 0126-6039

[img]
Preview
PDF
2MB

Official URL: http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2...

Abstract

Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini.

Item Type:Article
Keywords:Alkohol pemangkin pemendapan wap kimia (ACCVD); Kaedah pertumbuhan langsung; Karbon tiub nano berdinding tunggal; Keberkesanan-medan voltan pincang dan get; Tenaga pengaktifan
Journal:Sains Malaysiana
ID Code:11132
Deposited By: ms aida -
Deposited On:18 Dec 2017 06:57
Last Modified:21 Dec 2017 04:32

Repository Staff Only: item control page